Name: IRLS4030TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLS4030TRLPBFTR-ND
Price: 3.904 EUR
Availability: InStock

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IRLS4030TRLPBF
Codice DigiKey	IRLS4030TRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLS4030TRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLS4030TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLS4030TRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLS4030TRLPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	180 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,3mohm a 110A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	130 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	11360 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	370W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRLS4030

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 1,10066	€ 880,53
1 600	€ 1,05231	€ 1 683,70

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,20000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,90400

IRLS4030TRLPBF