Name: IRLS3036TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLS3036TRLPBFTR-ND
Price: 4.4408 EUR
Availability: OutOfStock

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IRLS3036TRLPBF
Codice DigiKey	IRLS3036TRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLS3036TRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLS3036TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLS3036TRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 195 A (Tc) 380W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLS3036TRLPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	195 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,4mohm a 165A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	140 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	11210 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	380W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRLS3036

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 1,28354	€ 1 026,83
1 600	€ 1,25830	€ 2 013,28

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,64000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,44080

IRLS3036TRLPBF