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Canale N 60 V 195 A (Tc) 380W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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IRLS3036PBF

Codice DigiKey
IRLS3036PBF-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRLS3036PBF
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 195 A (Tc) 380W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
195 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,4mohm a 165A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
11210 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
380W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
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