Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 2.5498 EUR
Availability: InStock

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IRLR3636TRPBF
Codice DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLR3636TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 50 A (Tc) 143W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLR3636TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 100µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3779 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 143W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRLR3636
RDSon (max) a Id, Vgs 6,8mohm a 50A, 10V