Name: IRLR2905ZTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR2905ZTRPBFTR-ND
Price: 1.586 EUR
Availability: InStock

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IRLR2905ZTRPBF
Codice DigiKey	IRLR2905ZTRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLR2905ZTRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLR2905ZTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLR2905ZTRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 42 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLR2905ZTRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1570 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 42 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRLR2905
RDSon (max) a Id, Vgs 13,5mohm a 36A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)