IRLML5203GTRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IRLML5203GTRPBF è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : € 0,40000

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IRLML5203GTRPBF
Codice DigiKey	IRLML5203GTRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLML5203GTRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLML5203GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLML5203GTRPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 3 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Micro3™/SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	98mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	510 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	Micro3™/SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3