IRLML2502GTRPBF è obsoleto e non è più in produzione.
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Equivalente parametrico


Infineon Technologies
In magazzino: 27 793
Prezzo unitario : € 0,45000
Scheda tecnica

Simile


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In magazzino: 47 354
Prezzo unitario : € 0,29000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 30 797
Prezzo unitario : € 0,65000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 18 619
Prezzo unitario : € 0,49000
Scheda tecnica
SOT-23-3
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IRLML2502GTRPBF

Codice DigiKey
IRLML2502GTRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRLML2502GTRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRLML2502GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IRLML2502GTRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 4,2 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Micro3™/SOT-23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
45mohm a 4,2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (max)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
740 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
Micro3™/SOT-23
Contenitore/involucro
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Obsoleto
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