Canale N 20 V 1,2 A (Ta) 540mW (Ta) A montaggio superficiale Micro3™/SOT-23
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IRLML2402GTRPBF

Codice DigiKey
IRLML2402GTRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRLML2402GTRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRLML2402GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRLML2402GTRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 1,2 A (Ta) 540mW (Ta) A montaggio superficiale Micro3™/SOT-23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRLML2402GTRPBF Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,7V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
250mohm a 930mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id
700mV a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
110 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
540mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
Micro3™/SOT-23
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Obsoleto
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