Name: IRLH5030TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLH5030TRPBFTR-ND
Price: 3.2086 EUR
Availability: InStock

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IRLH5030TRPBF
Codice DigiKey	IRLH5030TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLH5030TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLH5030TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLH5030TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 13 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLH5030TRPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	13 A (Ta), 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	9mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5185 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,6W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	IRLH5030

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,63000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,20860

IRLH5030TRPBF