IRG4PF50WD-201P Infineon Technologies | IGBT singoli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli	Tipo di ingresso Standard
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate 160 nC
Confezionamento Busta	Td (on/off) a 25°C 50ns/110ns
Stato componente Obsoleto	Condizione di test 720V, 28A, 5ohm, 15V
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 900 V	Tempo di recupero inverso (Trr) 90 ns
Corrente - Collettore (Ic) max 51 A	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 204 A	Tipo di montaggio Foro passante
Vce(on) max a Vge, Ic 2,7V a 15V, 28A	Contenitore/involucro TO-247-3
Potenza - Max 200 W	Contenitore del fornitore TO-247AC
Energia di commutazione 2,63mJ (on), 1,34mJ (off)

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IRG4PF50WD-201P