Name: IRFS4410ZTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4410ZTRLPBFTR-ND
Price: 3.1232 EUR
Availability: InStock

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IRFS4410ZTRLPBF
Codice DigiKey	IRFS4410ZTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFS4410ZTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFS4410ZTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFS4410ZTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	30 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 97 A (Tc) 230W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 150µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 120 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4820 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 97 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFS4410
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 58A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)