Name: IRFS4229TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4229TRLPBFTR-ND
Price: 4.8556 EUR
Availability: InStock

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IRFS4229TRLPBF
Codice DigiKey	IRFS4229TRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFS4229TRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFS4229TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFS4229TRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 45 A (Tc) 330W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFS4229TRLPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4560 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 45 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFS4229
RDSon (max) a Id, Vgs 48mohm a 26A, 10V