IRFS4010PBF Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRFS4010PBF
Codice DigiKey	IRFS4010PBF-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFS4010PBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 180 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	180 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,7mohm a 106A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	215 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	9575 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB

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