Name: IRFS3307ZTRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFS3307ZTRRPBFTR-ND
Price: 3.9772 EUR
Availability: InStock

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IRFS3307ZTRRPBF
Codice DigiKey	448-IRFS3307ZTRRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRFS3307ZTRRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRFS3307ZTRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFS3307ZTRRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 120 A (Tc) 230W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	75 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,8mohm a 75A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4750 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	230W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRFS3307

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 1,12850	€ 902,80
1 600	€ 1,08341	€ 1 733,46

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,26000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,97720

IRFS3307ZTRRPBF