IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRFS3307ZTRLPBF
Codice DigiKey	IRFS3307ZTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFS3307ZTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFS3307ZTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFS3307ZTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 120 A (Tc) 230W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 150µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4750 pF @ 50 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFS3307
RDSon (max) a Id, Vgs 5,8mohm a 75A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB055N08NF2SATMA1	Infineon Technologies	50	448-IPB055N08NF2SATMA1CT-ND	€ 2,59000	Consigliato dal produttore
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