Name: IRFS3107TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS3107TRLPBFTR-ND
Price: 5.3924 EUR
Availability: InStock

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IRFS3107TRLPBF
Codice DigiKey	IRFS3107TRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFS3107TRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFS3107TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFS3107TRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 195 A (Tc) 370W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFS3107TRLPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 240 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9370 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 195 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFS3107
RDSon (max) a Id, Vgs 3mohm a 140A, 10V