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RCJ200N20TL
Rohm Semiconductor
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Canale N 200 V 24 A (Tc) 3,8W (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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IRFS23N20DTRRP

Codice DigiKey
IRFS23N20DTRRP-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRFS23N20DTRRP
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 200 V 24 A (Tc) 3,8W (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
24 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
100mohm a 14A, 10V
Vgs(th) max a Id
5,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1960 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 170W (Tc)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
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