IRFR120NTRRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRFR120NTRRPBF
Codice DigiKey	IRFR120NTRRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFR120NTRRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 9,4 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 210mohm a 5,6A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie HEXFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 330 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,4 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V

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