IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IRFR024NTRLPBF
Codice DigiKey	IRFR024NTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFR024NTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFR024NTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFR024NTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 17 A (Tc) 45W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	17 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	75mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	370 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	45W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IRFR024

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