IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IRFHS9301TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

Rohm Semiconductor

In magazzino: 4 725

Prezzo unitario : € 1,04000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRFHS9301TRPBF
Codice DigiKey	IRFHS9301TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFHS9301TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFHS9301TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFHS9301TRPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 6 A (Ta), 13 A (Tc) 2,1W (Ta) A montaggio superficiale 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFHS9301TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A (Ta), 13 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	37mohm a 7,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 25µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	580 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Contenitore/involucro	6-PowerVDFN
Codice componente base	IRFHS9301