Name: IRFHM3911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFHM3911TRPBFTR-ND
Price: 1.1468 EUR
Availability: InStock

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IRFHM3911TRPBF
Codice DigiKey	448-IRFHM3911TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRFHM3911TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRFHM3911TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFHM3911TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 3,2 A (Ta), 20 A (Tc) 2,8W (Ta), 29W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (3x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFHM3911TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 35µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 26 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 760 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta), 29W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,2 A (Ta), 20 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFHM3911
RDSon (max) a Id, Vgs 115mohm a 6,3A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)