Name: IRFH6200TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH6200TRPBFTR-ND
Price: 2.5864 EUR
Availability: InStock

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IRFH6200TRPBF
Codice DigiKey	IRFH6200TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFH6200TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFH6200TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFH6200TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 49 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFH6200TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,1V a 150µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 230 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10890 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 156W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 49 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Codice componente base IRFH6200
RDSon (max) a Id, Vgs 0,95mohm a 50A, 10V