Name: IRFH5210TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5210TRPBFTR-ND
Price: 2.074 EUR
Availability: InStock

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IRFH5210TRPBF
Codice DigiKey	IRFH5210TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFH5210TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFH5210TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFH5210TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 10 A (Ta), 55 A (Tc) 3,6W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFH5210TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 100µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 59 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2570 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta), 55 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFH5210
RDSon (max) a Id, Vgs 14,9mohm a 33A, 10V