Name: IRFH5020TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5020TRPBFTR-ND
Price: 2.5864 EUR
Availability: InStock

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IRFH5020TRPBF
Codice DigiKey	IRFH5020TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFH5020TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFH5020TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFH5020TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 5,1 A (Ta) 3,6W (Ta), 8,3W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFH5020TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 150µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 54 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2290 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 8,3W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,1 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFH5020
RDSon (max) a Id, Vgs 55mohm a 7,5A, 10V