Name: IRFB4410PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB4410PBF-ND
Price: 3.538 EUR
Availability: InStock

Canale N 100 V 88 A (Tc) 200W (Tc) Foro passante TO-220AB

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IRFB4410PBF
Codice DigiKey	IRFB4410PBF-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFB4410PBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 88 A (Tc) 200W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFB4410PBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 150µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 180 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5150 pF @ 50 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 88 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFB4410
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 58A, 10V

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Sostituti (12)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRFB4310ZPBF	Infineon Technologies	5 246	IRFB4310ZPBF-ND	€ 3,80000	Consigliato dal produttore
IRFB4410ZPBF	Infineon Technologies	3 174	448-IRFB4410ZPBF-ND	€ 2,28000	Simile
FDP085N10A-F102	onsemi	800	FDP085N10A-F102-ND	€ 3,08000	Diretto
CSD19533KCS	Texas Instruments	0	296-37482-5-ND	€ 2,16000	Simile
DMTH10H010LCT	Diodes Incorporated	18	DMTH10H010LCTDI-5-ND	€ 2,16000	Simile

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 2,90000	€ 2,90
50	€ 1,42940	€ 71,47
100	€ 1,28640	€ 128,64
500	€ 1,03576	€ 517,88
1 000	€ 0,95517	€ 955,17
2 000	€ 0,88744	€ 1 774,88
5 000	€ 0,81418	€ 4 070,90
10 000	€ 0,76895	€ 7 689,50

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