Name: IRF9952TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9952PBFTR-ND
Price: 1.3176 EUR
Availability: InStock

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IRF9952TRPBF
Codice DigiKey	IRF9952PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF9952PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF9952PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF9952TRPBF
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 3,5 A, 2,3 A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF9952TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 2,2A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Serie HEXFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 190pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,5 A, 2,3 A	Codice componente base IRF995