Name: IRF9530NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9530NSTRLPBFTR-ND
Price: 1.952 EUR
Availability: InStock

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IRF9530NSTRLPBF
Codice DigiKey	IRF9530NSTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF9530NSTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF9530NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF9530NSTRLPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 14 A (Tc) 3,8W (Ta), 79W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF9530NSTRLPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	14 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	200mohm a 8,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	760 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRF9530

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Nastrato in bobina (TR)