IRF9333TRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IRF9333TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.

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IRF9333TRPBF
Codice DigiKey	IRF9333TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF9333TRPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 9,2 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF9333TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 25µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1110 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,2 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRF9333
RDSon (max) a Id, Vgs 19,4mohm a 9,2A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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