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DMN3015LSD-13
Diodes Incorporated
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IRF8313PBF

Codice DigiKey
IRF8313PBF-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF8313PBF
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 9,7A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,7A
RDSon (max) a Id, Vgs
15,5mohm a 9,7A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,35V a 25µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
90nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
760pF a 15V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
IRF8313
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