Name: IRF7495TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7495TRPBFTR-ND
Price: 2.0862 EUR
Availability: InStock

IRF7495TRPBF
Codice DigiKey	IRF7495TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7495TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7495TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7495TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7,3 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7495TRPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	22mohm a 4,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1530 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SO
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	IRF7495

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
4 000	€ 0,46244	€ 1 849,76
8 000	€ 0,45009	€ 3 600,72

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,71000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,08620

IRF7495TRPBF