Name: IRF7451TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7451PBFTR-ND
Price: 2.196 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRF7451TRPBF
Codice DigiKey	IRF7451PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7451PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7451PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7451TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 3,6 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7451TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,5V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 990 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,6 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF7451
RDSon (max) a Id, Vgs 90mohm a 2,2A, 10V