Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.6714 EUR
Availability: InStock

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IRF7341TRPBFXTMA1
Codice DigiKey	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7341TRPBFXTMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 55V 4,7 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale PG-DSO-8-902
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7341TRPBFXTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 4,7A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Serie HEXFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 36nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 740pF a 25V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 55V	Contenitore del fornitore PG-DSO-8-902
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,7 A (Tc)