
IRF7341TRPBFXTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IRF7341TRPBFXTMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 55V 4,7 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale PG-DSO-8-902 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRF7341TRPBFXTMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 55V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,7 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 50mohm a 4,7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 36nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 740pF a 25V | |
Potenza - Max | 2W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | PG-DSO-8-902 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,11000 | € 1,11 |
| 10 | € 0,69400 | € 6,94 |
| 100 | € 0,45850 | € 45,85 |
| 500 | € 0,35708 | € 178,54 |
| 1 000 | € 0,32441 | € 324,41 |
| 2 000 | € 0,29901 | € 598,02 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4 000 | € 0,26560 | € 1 062,40 |
| 8 000 | € 0,24674 | € 1 973,92 |
| 12 000 | € 0,24429 | € 2 931,48 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,11000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,35420 |


