IRF7314TRPBF Infineon Technologies | Array FET, MOSFET

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IRF7314TRPBF
Codice DigiKey	IRF7314PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7314PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7314PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7314TRPBF
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 5,3A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7314TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali P (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,3A
RDSon (max) a Id, Vgs	58mohm a 2,9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	700mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	29nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	780pF a 15V
Potenza - Max	2W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SO
Codice componente base	IRF731