Name: IRF7313TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7313PBFTR-ND
Price: 1.5494 EUR
Availability: InStock

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IRF7313TRPBF
Codice DigiKey	IRF7313PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7313PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7313PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7313TRPBF
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6,5A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7313TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33nC a 10V
Serie HEXFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 650pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 2W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,5A	Codice componente base IRF731
RDSon (max) a Id, Vgs 29mohm a 5,8A, 10V