Name: IRF7105TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7105PBFTR-ND
Price: 1.2078 EUR
Availability: InStock

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IRF7105TRPBF
Codice DigiKey	IRF7105PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7105PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7105PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7105TRPBF
Descrizione	MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 25V 3,5 A, 2,3 A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7105TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 27nC a 10V
Serie HEXFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 330pF a 15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 2W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione Canale N e P	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 25V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,5 A, 2,3 A	Codice componente base IRF71
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 1A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)