MOSFET - Array 50V 3 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale PG-DSO-8-902
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IRF7103TRPBFXTMA1

Codice DigiKey
448-IRF7103TRPBFXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IRF7103TRPBFXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IRF7103TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF7103TRPBFXTMA1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 50V 3 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale PG-DSO-8-902
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
50V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
130mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
290pF a 25V
Potenza - Max
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
PG-DSO-8-902
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In magazzino: 2 848
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,02000€ 1,02
10€ 0,63800€ 6,38
100€ 0,41870€ 41,87
500€ 0,32420€ 162,10
1 000€ 0,29378€ 293,78
2 000€ 0,26818€ 536,36
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4 000€ 0,24663€ 986,52
8 000€ 0,22852€ 1 828,16
12 000€ 0,21930€ 2 631,60
20 000€ 0,20893€ 4 178,60
28 000€ 0,20280€ 5 678,40
40 000€ 0,19994€ 7 997,60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,02000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,24440