Name: IRF6775MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6775MTRPBFTR-ND
Price: 2.5498 EUR
Availability: OutOfStock

IRF6775MTRPBF
Codice DigiKey	IRF6775MTRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF6775MTRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF6775MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF6775MTRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 4,9 A (Ta), 28 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ MZ
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF6775MTRPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,9 A (Ta), 28 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	56mohm a 5,6A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1411 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DIRECTFET™ MZ
Contenitore/involucro	DirectFET™ isometrico MZ
Codice componente base	IRF6775

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
4 800	€ 0,61738	€ 2 963,42
9 600	€ 0,59166	€ 5 679,94

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,09000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,54980

IRF6775MTRPBF