IRF6725MTR1PBF è obsoleto e non è più in produzione.
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PSMN2R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
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Canale N 30 V 28 A (Ta), 170 A (Tc) 2,8W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ MX
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Canale N 30 V 28 A (Ta), 170 A (Tc) 2,8W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ MX
DirectFET™ Isometric MX_B

IRF6725MTR1PBF

Codice DigiKey
IRF6725MTR1PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF6725MTR1PBF
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 28 A (Ta), 170 A (Tc) 2,8W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ MX
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
28 A (Ta), 170 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,2mohm a 28A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,35V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
54 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4700 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DIRECTFET™ MX
Contenitore/involucro
DirectFET™ isometrico MX
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