MOSFET - Array 30V 15A 2,7W A montaggio superficiale DIRECTFET™ MA
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IRF6723M2DTR1P

Codice DigiKey
IRF6723M2DTR1PTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF6723M2DTR1P
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFETMA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 15A 2,7W A montaggio superficiale DIRECTFET™ MA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15A
RDSon (max) a Id, Vgs
6,6mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,35V a 25µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1380pF a 15V
Potenza - Max
2,7W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DirectFET™ isometrico MA
Contenitore del fornitore
DIRECTFET™ MA
Codice componente base
IRF6723
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Obsoleto
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