Name: IRF6717MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6717MTRPBFTR-ND
Price: 4.1846 EUR
Availability: InStock

IRF6717MTRPBF
Codice DigiKey	IRF6717MTRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF6717MTRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF6717MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF6717MTRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 38 A (Ta), 200 A (Tc) 2,8W (Ta), 96W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ MX
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	38 A (Ta), 200 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,25mohm a 38A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,35V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	69 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6750 pF @ 13 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,8W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DIRECTFET™ MX
Contenitore/involucro	DirectFET™ isometrico MX
Codice componente base	IRF6717

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,43000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,18460

IRF6717MTRPBF