IRF6712STR1PBF è obsoleto e non è più in produzione.
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IRF6712STRPBF
Rochester Electronics, LLC
In magazzino: 21
Prezzo unitario : € 12,29810
Scheda tecnica
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Canale N 25 V 17 A (Ta), 68 A (Tc) 2,2W (Ta), 36W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ SQ
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IRF6712STR1PBF

Codice DigiKey
IRF6712STR1PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF6712STR1PBF
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 25 V 17 A (Ta), 68 A (Tc) 2,2W (Ta), 36W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ SQ
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
17 A (Ta), 68 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,9mohm a 17A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,4V a 50µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1570 pF @ 13 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,2W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DIRECTFET™ SQ
Contenitore/involucro
DirectFET™ isometrico SQ
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