Canale N 25 V 19 A (Ta), 84 A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ SQ
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IRF6711STRPBF

Codice DigiKey
IRF6711STRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF6711STRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 25 V 19 A (Ta), 84 A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ SQ
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
19 A (Ta), 84 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,8mohm a 19A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,35V a 25µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1810 pF @ 13 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DIRECTFET™ SQ
Contenitore/involucro
DirectFET™ isometrico SQ
Codice componente base
IRF6711
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