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IRF5851TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IRF5851TRPBF | |
|---|---|
Codice DigiKey | IRF5851TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IRF5851TRPBF |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 2,7 A, 2,2 A 960mW A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 2,7 A, 2,2 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 90mohm a 2,7A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,25V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 400pF a 15V | |
Potenza - Max | 960mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
Contenitore del fornitore | 6-TSOP | |
Codice componente base |
Obsoleto
Italia