Name: IRF5803TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5803TRPBFTR-ND
Price: 0.7686 EUR
Availability: InStock

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IRF5803TRPBF
Codice DigiKey	IRF5803TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF5803TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF5803TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF5803TRPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 3,4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(TSOP-6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF5803TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	112mohm a 3,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1110 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	Micro6™(TSOP-6)
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	IRF5803

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)