Canale P 40 V 3,4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(TSOP-6)
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Canale P 40 V 3,4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(TSOP-6)
IRF5800TRPBF
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IRF5803TRPBF

Codice DigiKey
IRF5803TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRF5803TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRF5803TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IRF5803TRPBF
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 40 V 3,4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(TSOP-6)
Scheda tecnica
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IRF5803TRPBF Modelli
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
112mohm a 3,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1110 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
Micro6™(TSOP-6)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT)
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