Name: IRF5802TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5802TRPBFTR-ND
Price: 0.7198 EUR
Availability: InStock

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IRF5802TRPBF
Codice DigiKey	IRF5802TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF5802TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF5802TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF5802TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(TSOP-6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF5802TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,5V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.8 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 88 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore Micro6™(TSOP-6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 900mA (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF5802
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 540mA, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)