Name: IRF5801TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5801TRPBFTR-ND
Price: 0.7564 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRF5801TRPBF
Codice DigiKey	IRF5801TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF5801TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF5801TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF5801TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 600mA (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(TSOP-6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF5801TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,5V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.9 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 88 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore Micro6™(TSOP-6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 600mA (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF5801
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2ohm a 360mA, 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 6 123

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)