Name: IRF1310NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1310NSTRLPBFTR-ND
Price: 2.9524 EUR
Availability: InStock

IRF1310NSTRLPBF
Codice DigiKey	IRF1310NSTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF1310NSTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF1310NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF1310NSTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 42 A (Tc) 3,8W (Ta), 160W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	42 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	36mohm a 22A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1900 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRF1310

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,42000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,95240

IRF1310NSTRLPBF