Name: IQE220N15NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE220N15NM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.4282 EUR
Availability: InStock

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IQE220N15NM5CGATMA1
Codice DigiKey	448-IQE220N15NM5CGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE220N15NM5CGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE220N15NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE220N15NM5CGATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 44 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE220N15NM5CGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,6V a 46µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18.3 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore PG-TTFN-9-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 44 A (Tc)	Contenitore/involucro 9-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IQE220N15
RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 16A, 10V