Name: IQE031N08LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE031N08LM6CGATMA1TR-ND
Price: 2.623 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IQE031N08LM6CGATMA1
Codice DigiKey	448-IQE031N08LM6CGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE031N08LM6CGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE031N08LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE031N08LM6CGATMA1
Descrizione	TRENCH 40<-<100V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 18A (Ta), 127A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE031N08LM6CGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3,15mohm a 20A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,3V a 50,8µA
Serie OptiMOS™ 6	Carica del gate (Qg) max a Vgs 68 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4600 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18A (Ta), 127A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TTFN-9-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 9-PowerTDFN

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In magazzino: 4 030

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5 000	€ 1,01669	€ 5 083,45

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,15000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,62300

IQE031N08LM6CGATMA1